DIGITAL RADIANCE - Филиал _Транзистор by pptfiles

VIEWS: 0 PAGES: 27

									ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ В БЕЛАРУСЬ

 Государственное устройство:
 президентская республика
 Столица: г. Минск
 Население: 9,848 млн. человек
 Язык: русский, белорусский
 Территория: 207,6 тыс. кв. км.
 Валюта: белорусский рубль
 Время: GMT + 2
О ПРЕДПРИЯТИИ

Филиал «Транзистор», входящий в состав
ОАО «Интеграл», крупный производитель
полупроводниковых приборов и интегральных
микросхем



  многолетний опыт производства электронных компонентов
  полный технологический цикл изготовления продукции
  наличие собственного дизайн-центра
  минимальные сроки разработки и освоения новых изделий
  собственная база по испытаниям приборов
  менеджмент качества соответствует требованиям ISO 9001-2001
ИСТОРИЯ ФИЛИАЛА

 1962г. Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 29.09.1962 г. № 1000-425 был
 образован Минский ламповый завод, который распоряжением СМ СССР от
 19.02.1966 г. № 318-рс передан в распоряжение Министерства электронной
 промышленности СССР и получил название Минский завод «Транзистор».

 1967г. Освоение производства германиевых высокочастотных транзисторов ГТ322,
 П401-416, ГТ308, изготавливаемых по сплавно-диффузионной технологии.
 1971г. Начало серийного производства кремниевых, эпитаксиально-планарных
 высокочастотных переключающих транзисторов средней мощности с повышенным
 быстродействием.
 1973г. Начало производства мощных СВЧ-транзисторов для работы в диапазоне
 частот 1 — 5 ГГц.
 1983г. Освоение производства БИС, СБИС, изготавливаемых по КМОП-технологии.
 1993г. Освоение производства интегральных микросхем, изготавливаемых по
 биполярной технологии.
ИСТОРИЯ ФИЛИАЛА

 1996г. Произведено 6,4 миллиона интегральных микросхем и 149,6 миллиона
 полупроводниковых приборов. Освоение производства полевых транзисторов,
 изготавливаемых по ДМОП-технологии

 1999г. УП «Завод Транзистор» успешно прошёл аттестацию на соответствие
 системы менеджмента качества требованиям ISO 9002
 2003г. Освоение производства диодов с барьером
 2005г. Освоение технологии производства мощных биполярных транзисторов с
 изолированным затвором (IGBT)
 2005-2006гг. Освоение производства гаммы интегральных стабилизаторов с
 фиксированным и регулируемым выходным напряжением, низким остаточным
 напряжением и током нагрузки от 250 мА до 10А. Предприятие приступило к
 отработке техпроцесса изготовления тиристоров..
 2010г. Открытым акционерным обществом «ИНТЕГРАЛ» на базе УП «Завод
 Транзистор» создано обособленное структурное подразделение – Филиал
 «Транзистор».
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Филиал «Транзистор» представляет собой:

   производство полупроводниковых приборов (сборочное производство)
   производство полупроводниковых кристаллов интегральных схем,
   транзисторов, диодов, диодных сборок и т.д.
   производство кремниевых пластин и эпитаксиальных структур
   производство нестандартного специального технологического
   оборудования, специальной технологической оснастки
   энергетическое производство
   испытательный центр
НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ


    РАЗРАБОТКА           ПРОИЗВОДСТВО
     ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ     ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
     ПРИБОРОВ И ИМС        ПРИБОРОВ И ИМС




    ФАУНДРИ              ПРОИЗВОДСТВО
     ПРОИЗВОДСТВО          ПЛАСТИН
СТРУКТУРА ФИЛИАЛА

 Централизованные службы
     ОАО «ИНТЕГРАЛ»                       Директор
     обеспечивающие                       Филиала
   производство Филиала




                             Главный                  Зам. директора
                             инженер                  по производству




                            Управление
  Конструкторские
                           энергетики и              Производственные    Служба
 и технологические
                            подготовки                 службы и цеха    качества
       службы
                           производства
СТРУКТУРА ФИЛИАЛА

Списочная численность работников составляет 2245 чел., в том числе:


   Дирекция                                              5 чел.
   Производство №1                                     393 чел.
   Производство №2                                     184 чел.
   Производство №3                                     578 чел.
   Производство №4                                     301 чел.
   Управление качеством                                148 чел.
   Управление энергетики                               257 чел.
   Конструкторские и технологические службы            123 чел.
   Подготовка производства и прочие         256 чел.
СИСТЕМА КАЧЕСТВА

Сертификация СМК предприятия подтверждена сертификатами


   № ВУ/112.05.0.0.0013 в Национальной системе подтверждения
   соответствия РБ

   № QMS-00006 в Немецкой системе аккредитации TGA

   № СВ.01.431.0150 в системе добровольной сертификации
   «Военэлектронсерт» Минобороны России

   Экологический сертификат соответствия СТБ ИСО 14001-2005
МОЩНОСТИ

КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО, класс 100

  Производство кристаллов                – 460 тыс. пластин в год
  Производство эпитаксиальных структур   – 310 тыс. пластин в год
  Производство пластин Ø 100, 76, 60     – 630 тыс. пластин в год

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО, класс 10 000

  Сборка в корпуса                       – 85 млн. шт. в год
КРИСТАЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

 ДМОП-технология с 1,5 мкм проектными нормами изготовления
 вертикальных мощных МОП-транзисторов с Uси = 60…800 В
 Эпитаксиально-планарная технология изготовления кремниевых
 полупроводниковых приборов, в том числе мощных высоковольтных
 транзисторов с Uкб ≤ 1500 В
 КМОП-технология изготовления БИС, СБИС с 1,5 мкм проектными
 нормами и двухуровневой разводкой
 Биполярная эпитаксиальная технология изготовления интегральных
 схем с 1,5 мкм проектными нормами и двухуровневой разводкой
 Технология изготовления биполярных транзисторов с изолированным
 затвором
 Диодов Шоттки с Uмах до 200 В
СБОРОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

 дисковая и проволочная резка пластин на кристаллы
 эвтектическая напайка кристаллов на рамку Au / Ag
 пайка кристаллов на медную рамку с использованием припойной
 прокладки в среде формиргаза
 термокомпрессионная сварка Au проволокой Ø 25 – 40 мкм
 ультразвуковая сварка Al проволокой Ø 27 – 250 мкм
 герметизация прессматериалами
 тестирование электропараметров
 лазерная маркировка
ПРОДУКЦИЯ

С ПРИЕМКОЙ «ОТК», «ВП» и «ОСМ»


   Диоды и варикапы
   Биполярные и полевые транзисторы
   IGBT транзисторы
   Тиристоры и триаки
   Интегральные микросхемы
ПРИЕМКА «ОТК»

Транзисторы биполярные и полевые   Интегральные схемы
IGBT транзисторы
                                       Автоэлектроника
Тиристоры и триаки                     Вольт-детекторы
                                       Генераторы мелодии
Диоды, варикапы и матрицы
                                       ИС для телевидения
     Диоды Зенера                      ИС для телефонии
     Диоды Шоттки                      КМОП ОЗУ
     Выпрямительные диоды              МП БИС для ЭВМ
     Импульсные диодные матрицы        Таймеры
     Мощные диоды и матрицы            Микропроцессоры
     СВЧ Диоды                         Источники опорного напряжения
                                       Стабилизаторы напряжения
ПРИЕМКА «ВП» и «ОСМ»

Интегральные схемы                 Полупроводниковые приборы

   Логика ТТЛ                          IGBT транзисторы
   Логика КМОП                         Полевые транзисторы
   ОЗУ                                 Биполярные транзисторы
   ПЗУ                                 Диоды Шоттки
   Микропроцессоры                     Импульсные диодные матрицы
   Таймеры
   Источники опорного напряжения
   ШИМ контроллеры
   Стабилизаторы напряжения
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ

Силовая электроника и аналоговые ИМС (разработка и производство)

   ИМС маломощных стабилизаторов напряжения с низким напряжением насыщения
   (серия IL5219-xx)
   ИМС стабилизаторов напряжения положительной полярности с низким напряжением
   насыщения и током нагрузки 1.0А – 5.0А (серии IL1117AК4-XX, IL1084Т3-хх,
   IL1085Т3-хх, IL1950-xx)
   ИМС DC-DC преобразования напряжения (серии IL4519, IL2576, IL1509)
   ИМС контроллера тока и напряжения для зарядных устройств (IL1052)
   ИМС для электроподжига газовых плит (аналог FLC01-200B)
   ИМС стабилизаторов напряжения положительной полярности с Io=100мА с защитой
   от статического электричества
   ИМС драйверов управления светодиодами и светодиодными матрицами
   ИМС регулируемых стабилитронов IL431LT, IL432LT с защитой от статического
   электричества
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ
Дискретные полупроводниковые приборы (разработка и производство)

   высокотемпературных диодов Шоттки и диодов Шоттки устойчивых к
   статическому электричеству
   тиристоров и триаков


Разработка и освоение в производстве п/п приборов для автоэлектроники


   мощных биполярных транзисторов для автоэлектроники
   мощных диодов для автоэлектроники
НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ
Изделия специального назначения (разработка и производство)

   биполярных и МОП транзисторов, диодов Шоттки малой мощности с
   приемкой ПЗ в корпусах КТ-99-1 и SOT-23

   МОП транзисторов с приемкой ПЗ в металлокерамических корпусах ТО-
   254/ ТО-258 для использования в специализированных устройствах типа
   преобразователей напряжения, источников вторичного питания и другой
   преобразовательной аппаратуре

   серии стабилизаторов напряжения положительной с низким остаточным
   напряжением (аналог IL1117A-XX) с приемкой ПЗ в корпусе КТ-99-1
РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИЙ
КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

  разработка и освоение в производстве технологических процессов изготовления
  тиристоров и триаков малой и средней мощности высоковольтных тиристоров с
  напряжением до 1600В
  разработка и освоение в производстве технологического процесса изготовления
  диодов Шоттки с расширенным температурным диапазоном
  разработка и освоение в производстве технологии изготовления диодов Шоттки с
  обратными напряжениями 60В-100В, устойчивых к воздействию РСЭ до 14кВ
  переоснащение участка эпитаксии и разработка процессов эпитаксии на новом
  оборудовании
  доработка и внедрение техпроцесса формирования щелевой изоляции для
  изготовления биполярных ИС
РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИЙ
СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

  разработка и освоение технологии производства полупроводниковых
  приборов и интегральных микросхем в корпусах для поверхностного
  монтажа DPAK, D2PAK, КТ-99-1 и металлокерамических корпусах
  ТО-254А, ТО-258

  разработка и освоение технологии сборки полупроводниковых приборов и
  ИМС, исключающей применение свинца
УСЛУГИ ФАУНДРИ

Возможность размещения в производстве фаундри-заказов


    изготовление эпитаксиальных структур

    производство пластин с кристаллами, включая контроль
    функционирования или разделенных кристаллов

    полный цикл производства интегральных схем и полупроводниковых
    приборов (изготовление кристаллов и сборка)

    сборка (корпусирование) интегральных схем и полупроводниковых
    приборов с использованием кристаллов, предоставленных заказчиком
УСЛУГИ ИСПЫТАНИЙ

 на воздействие пониженного давления в диапазоне давлений до
 0,01 мм.рт.ст (объем камеры 0,2 куб.м.; диапазон температур от +40 ºС
 до +155 ºС, возможна подача электрического режима на испытуемые
 изделия)
 на вибропрочность (синусоидальная вибрация, макс. ускорение до 45g,
 диапазон частот от 5 Гц до 5000 Гц, номинальное усилие СИНУС -
 1000 Н)
 на воздействие циклов мощности для мощных полевых и биполярных
 транзисторов в корпусах КТ-9, КТ-28, КТ-43, SMD, D2PAK по ГОСТ В
 28146 (диапазон режимов: ток от 0,1А до 5А, напряжение от 0 до 20В,
 время цикла не более 15 минут, максимальная мощность на
 транзисторе не более 15 Вт, принудительное воздушное охлаждение
 транзисторов без теплоотвода)
СОПУТСТВУЮЩИЕ УСЛУГИ

 изготовление рамок выводных для сборки транзисторов и интегральных
 микросхем
 изготовление кремниевых пластин (Ø 76, 100 мм)
 высокотемпературная обработка кварцевого стекла
 услуги по проектированию с использованием программного комплекса
 AutoCAD
 изготовление оснастки (в том числе штампов, пресс-форм и другой
 технологической оснастки)
 штамповка деталей на кривошипных прессах (усилие до 20 тонн)
 продажа деионизованной воды
ГДЕ МЫ РАБОТАЕМ

 Китай            Латвия
 Ю. Корея         Литва
 Тайвань          Польша
 Сингапур         Испания
                  Германия
 Россия и СНГ     ЮАР
 Болгария
 Великобритания
 Индия
 Италия
ТОВАРОПРОВОДЯЩАЯ СЕТЬ

Россия (г.Москва)                     Россия (г. Санкт-Петербург)

    ООО «С-Компонент» (дилер)             СП ЗАО «Интеграл СПб»
    ООО "Дон-сервис“
    ЗАО «Росспецпоставка»
                                      Украина (г. Харьков)
    ЗАО «Спец-электронкомплект»
    ЗАО «ПКК Миландр»
    ЗАО «Радиант-Элком»                   ООО «Предприятие Эксим»
    ЗАО «Экситон»                       (АКИК-Восток ЭК)



    второй поставщик в системе «Военэлектронсерт»
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ !

ВАШИ ВОПРОСЫ …


Беларусь, г. Минск, ул. Корженевского,16
Тел.: +375-17 212-59-32
Факс: +375-17 212-59-32

E-mail: market@transistor.com.by
http://www.transistor.by

								
To top