Memorias
DRAM (Dynamic RAM)
FPM (Fast Page Mode)
BEDO (Burst EDO)
SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)
DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)
RDRAM (Rambus DRAM)
SRAM (Static RAM)
SDRAM (Synchronous DRAM)
SIMM (Single In line Memory Module)
DIMM (Dual In line Memory Module)
RIMM
Módulo DIMM
Módulo de memoria DIMM de 184 pines con tecnología DDR SDRAM: Este tipo de módulo de
memoria trabaja con chips de memoria DDR SDRAM, con un bus de datos de 64 bits y posee 184 pines
(lo que evita confundirlo con el de 168 pines y conectarlo en placas que no lo soporten).
Módulo SIMM
Módulo de memoria SIMM de 30 pines: SIMM es un acrónimo del idioma ingles que expresa Single in
Line Memory Module o modulo de memoria de una sola línea, es decir, un modulo de memoria SIMM es
un conjunto de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Este modulo normalmente
trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 8 bits.
Módulo RIMM
Módulo de memoria RIMM de 184 pines con tecnología RDRAM: Este tipo de módulo de memoria
trabaja con chips de memoria RDRAM, por lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en módulos
específicos. Suelen tener una protección metálica que favorece la disipación térmica.
Tipos de memorias DRAM
FPM-RAM
Memoria asíncrona, con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns. Esta memoria se
encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generación de Pentium.
BEDO-RAM
Memoria síncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium 2, así como en los AMD K7.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de
velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos
DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de
acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un
mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una
DDR tradicional (si una DDR a 200MHz reales entregaba 400MHz nominales, la DDR2 por esos mismos
200MHz reales entrega 800MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias
hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del modulo de
memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos
en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego
enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de
los módulos de memoria.
DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de
acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM . El principal beneficio de
instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces mas rápido, esto nos permite
obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR
anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta .
Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz,
comparado con el rango actual del DDR2 de 533-1200 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos
de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
GDDR 3 (Graphics Double Data Rate, versión 3) es una tecnología de memoria RAM específica para
tarjetas gráficas creada por ATI Technologies con la colaboración de JEDEC. Esta tecnología posee la
misma base tecnológica que DDR2, pero reduce considerablemente costes de consumo y de disipación
permitiendo aumentar la eficiencia de los módulos de manera notable usando sencillos sistemas de
refrigeración. La interfaz GDDR3 transfiere dos palabras de 32bits por ciclo de reloj.
Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el
hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente
fáciles de detectar, los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la
actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para
no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras.
En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes
estrategias:
La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la
lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar),
detectándose así el error.
Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores
que afecten a un sólo bit esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tienen un costo más alto, y
sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener
un sistema con ECC o paridad, el chipset y las memorias deben tener soportar esas tecnologías. La
mayoría de placas base no poseen soporte.
Dual Channel
Dual Channel es una tecnología para memorias aplicada en los ordenadores personales que permite el
incremento del rendimiento gracias al acceso simultáneo a dos módulos distintos de memoria. Esto se
consigue mediante un segundo controlador de memoria en el NorthBrigde (componente del chipset).
Las mejoras de rendimiento son particularmente perceptibles cuando se trabaja con controladoras de
vídeo integradas a la placa base ya que estas, al no contar con memoria propia, usan la memoria RAM o
memoria principal del sistema y, gracias a Dual Channel, pueden acceder a un módulo mientras el sistema
accede al otro.
Ahora están poniéndose de moda este tipo de memorias, las Hyper que son especializadas para equipos
que le dan mucha caña en los juegos de ordenador. Están orientadas a un calentamiento menor debido a
su estructura y un rendimiento máximo.
Bibliografía: www.wikipedia.org
www.google.com/imágenes
http://www.kingston.com/LatAm/tools/umg/spanish_pdfUMG.pdf
http://img.boonic.com/a497.jpg
http://es.wikipedia.org/wiki/DRAM#RDRAM_.28Rambus_DRAM.29
Raúl Bilbao Vicario
María Neila Mediavilla
Iñaki Pascual Maldonado