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GuiaTransistores_resueltos

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					Ejercicio 1:
Analizar los símbolos utilizados para BJT y FET. ¿Qué indica cada elemento de los mismos?
BJT:
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o
silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo
indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patas con los siguientes nombres:

base (B),
colector (C) y
emisor (E),

coincidiendo siempre, el emisor, con la pata que tiene la flecha en el gráfico de transistor.




Se trata de un dispositivo en el que son necesarios tanto los electrones libres como los huecos para el
funcionamiento normal.

FET:
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias
controladas por voltaje.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales,
empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los
TFTs (thin-film transistores, o transistores de película fina), por otra parte, es una película que se deposita
sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFTs es como pantallas de
cristal líquido o LCDs).


         P-channel


         N-channel



Ejercicio 7:

Encontrar el valor faltante en cada caso

    a) 200
      b) 100




a)
Se resuelva malla I
Vcc – Ic* 680ohm –Vce=0
12v- Ic * 680ohm -5,3v=0
6,7v/680ohm=Ic
Ic= 9.85mA

Ic=*Ib => Ib=Ic/ 
Ib= 9.85mA/200
Ib=0.04925mA

Ie=Ib+Ic
Ie=0.04925mA+9.85mA
Ie=9,8992 mA

Se resuelve malla II
Vbb-Ib*Rb-Vbe=0
Vbb=1,0835v+0.7v
Vbb= 1.7835v


b)
Se resuelva malla I
Vbb-Ie*Re-Veb=0
2v-Ie*1Kohm-0.7v=0
1.3v/1kohm=Ie
Ie=1.3mA

Ic= α*Ie como α=β/1+β => α=0.99
Ic=0.99*1.3mA
Ic=1.287mA
Como Ie=Ib+Ic => Ib=Ie-Ic
Ib=1.3mA-1.287mA
Ib=0,013mA

Se resuelva malla II
Vcc-Ie*Re-Vec-Ic*Rc
12v-1.3v-5.097v-1.287Ma*RC=0
5.603v/1.287mA=Rc
RC=4.35kohm

				
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posted:12/3/2011
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