ASIGNATURA - DOC - DOC

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					                  UNIVERSIDAD NACIONAL DE MAR DEL PLATA

                               FACULTAD DE INGENIERIA

                  DEPARTAMENTO INGENIERIA ELECTRÓNICA




ASIGNATURA       Dispositivos Electrónicos
CÓDIGO/PLAN      444/ 96
OBJETIVOS
                 Brindar al alumno conocimientos sobre dispositivos electrónicos básicos.




CONTENIDOS        Diodos semiconductores, Shotky y rápidos. Transistor bipolar de juntura.
MÍNIMOS          Amplificación lineal y conmutación. Darlington. Amplificador operacional real.
                 Transistor de efecto de campo. Mosfet. IGBT. Dispositivos de disparo. Tiristores
                 y triacs. Optoelectrónica.




CARGA HORARIA    Teórica                                                                      45
                 Resoluciòn de problemas de ingeniería                                        67
                 Trabajo en Laboratorio y/o campo                                             16
                 Actividad de Proyecto y diseño
                 Práctica supervisada
                 Total                                                                       128
CREDITOS DE      Total                                                                         8
GRADO
CARRERA/S        Obligatoria        CARÁCTER-CUATRIMESTRE                Par
                                    Obligatoria/Optativa/Recursada –
                                    par/impar
DIAS Y HORA DE   Teoría        Lunes 17-18:30             Práctica     Lunes 18:30-21
CLASE                          Jueves 17-18:30                         Jueves 18:30-21
DIAS Y HORA DE   Teoría        4 horas por semana         Práctica     6 horas por semana
CONSULTA                       A confirmar                             A confirmar

DOCENTE
RESPONSABLE                         Firma                                 Aclaración
                                            PROGRAMA ANALITICO
Unidad Temática I
FÍSICA DEL SEMICONDUCTOR: Revisión de conceptos básicos de la física del semiconductor: sólidos
cristalinos semiconductores; el proceso de conducción en los semiconductores: conductividad, arrastre en
un campo eléctrico; bandas de energía; efecto Hall.
Unidad Temática II
DIODOS SEMICONDUCTORES:
                          II.1. Revisión de conceptos básicos de la física de la juntura.
                          II.2. Efecto túnel. Diodo semiconductor por efecto túnel.
                          II.3. Diodo inverso.
                          II.4. Diodo Zener.
                          II.5. Diodo Schottky.
                          II.8. Comportamiento eléctrico de los diodos.
Unidad Temática III
FÍSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA Y DEL UNIPOLAR O DE EFECTO DE CAMPO:
                          III.1. Física del transistor bipolar de juntura: modelo de Ebers-Moll; características
eléctricas; modos de funcionamiento; efecto Early.
                          III.2. Control de la conductancia de un canal semiconductor por un campo
eléctrico transversal.
                          III.3. Transistor de efecto de campo de juntura: principio de funcionamiento;
características eléctricas.
                          III.4. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada: principio de
funcionamiento; estructura MOS; canal inducido; canal preformado; características.
Unidad Temática IV
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BIPOLARES Y UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO:
                          IV.1. Factores que intervienen en la selección de un punto de polarización.
                          IV.2. Diseño de una red de polarización para un TBJ teniendo en cuenta las
variaciones producidas por efecto de la temperatura y las tolerancias de fabricación.
                          IV.3. Polarización de transistores unipolares o de efecto de campo.
Unidad Temática V
MODELOS DE SEÑAL DE TRANSISTORES:
                          V.1. Modelo dinámico para transistores TBJ, MOS y JFET.
                          V.2. Modelos incrementales para transistores TBJ, JFET y MOS.
                          V.3. Modelos eléctricos cuadripolares.
                          V.4. Análisis de circuitos amplificadores con transistores mediante los modelos
eléctricos descritos.
Unidad Temática VI
RESPUESTA A LAS VARIACIONES DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS CON
TRANSISTORES:
                          VI.1. Respuesta en baja frecuencia.
                          VI.2. Respuesta en alta frecuencia.
Unidad Temática VII
RESPUESTA DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS A LAS CONDICIONES EXTREMAS DE
TRABAJO:
                          VII.1. Condiciones eléctricas extremas: fenómenos de ruptura por tensión en los
transistores: primera, y segunda ruptura; condiciones límites para la corriente; zona de operación segura.
                          VII.2. Condiciones térmicas extremas: mecánica de la evacuación del calor:
conducción, convección, radiación; análisis térmico del comportamiento de un dispositivo; fuga térmica;
mecanismos para prevenir la sobreelevación de temperatura: disipadores de calor.
Unidad Temática VIII
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PARA CONTROL DE POTENCIA:
                          VIII.1. Diodo de cuatro capas o Schockley.
                          VIII.2. Diodo de cuatro capas bilateral (DIAC).
                          VIII.3. Rectificador controlado de silicio (SCR) o tiristor.
                          VIII.4. Transistor triódico bidireccional (TRIAC).
                          VIII.5. Transistor monojuntura (UJT) o diodo de doble base: programables,
complementarios y equilibrados.
                          VIII.6. IGBT.
                        VIII.6. Otros dispositivos.
Unidad Temática IX.
OPTOELECTRONICA
                        IX.1. Principios físicos de los dispositivos optoelectrónicos.
                        IX.2. Dispositivos básicos y aplicaciones.
Unidad Temática X.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES.
                         X.1. Conceptos generales de circuitos integrados analógicos bipolares y MOS.
                         X.2. Bloque funcionales básicos utilizados en circuitos integrados: Fuentes de
corriente, cargas activas, amplificadores diferenciales, referencias de tensión estabilizadas térmicamente,
configuración Darlington, etapas de salida, otros bloques.
                         X.3. Estructura interna de un amplificador operacional. Análisis del amplificador
operacional uA741.

                                                  Validez
   Año         Docente responsable                 Jefe de área                      Departamento
2003         Ing. Jorge Galatro             Ing. Carlos A. Gayoso           Ingeniería Electrónica
                                     REGLAMENTO DE CURSADA


El régimen de aprobación de la materia el siguiente:

* Se tomarán 3 ( tres ) parciales teórico-prácticos, siendo el    puntaje acumulativo. Además también se
tomará un examen integrador al finalizar el cursado de la materia.

* Promocionarán la materia aquellos alumnos que hayan sumado 21 ( veintiún ) o más puntos y que
hayan obtenido 5 ( cinco ) o más puntos en cada uno de los parciales. La nota final de los alumnos
aprobados dependerá de la nota obtenida en los tres exámenes parciales y en el examen integrador.

* Los alumnos que sumen entre 15 ( quince ) y 21 ( veintiún ) puntos, y hayan aprobado el examen
integrador con mas de 4 (cuatro) puntos serán alumnos habilitados. También serán considerados
habilitados los alumnos que hayan sumado 21 ( veintiún ) o más puntos, hayan aprobado el coloquio con
mas de 4 (cuatro) puntos pero hayan obtenido menos de 5 ( cinco ) puntos en algún parcial.

* Los alumnos que sumen menos de 15 (quince) puntos o sumen entre 15 ( quince ) y 21 ( veintiún )
puntos y hayan sacado menos de 4 (cuatro) puntos en el examen integrador, desaprobarán la materia.




                                                 Validez
   Año         Docente responsable                Jefe de área                  Departamento
2003         Ing. Jorge Galatro            Ing. Carlos a. Gayoso       Ingeniería Electrónica
                                           BIBLIOGRAFIA

                 TITULO                                 AUTOR                  AÑO         BIBL.
  Dispositivos y circuitos electrónicos       J. Millman y C. Halkias
        Principios de electrónica             Searle y Gray
          Integrated electronics              Millman & Halkias
      Electrónica del estado sólido           Angel D. Tremosa
   Circuitos integrados y dispositivos        G. Deboo y C. Burrous
            semiconductores
          Circuitos electrónicos             Schilling, Belove
  Microelectrónica. Circuitos Integrados     Galatro, Jorge A.;
    CMOS Digitales, Teoría y Práctica        Gayoso,Carlos A.;
                                             González, Claudio M.;
                                             Arnone, Leonardo J.
                                             Validez
   Año       Docente responsable              Jefe de área                  Departamento
2003       Ing. Jorge Galatro          Ing. Carlos A. Gayoso       Ingeniería Eectrónica




                          ASIGNACIÓN DE FUNCIONES DOCENTES


           DOCENTE                         CARGO            DEDICACION           CUATRIMESTRE

SALAS, Eduardo G.                  Prof. Asociado         Simple               Segundo


GALATRO, Jorge                     Prof. Asociado         Parcial              Segundo


ARNONE, Leonardo                   Ayudante de            Exclusivo            Segundo
                                   Primera

SOLAVAGGIONE, Rubén                Ayudante de            Simple               Segundo
                                   Primera

BARBARINO, Luciano                 Ayudante de            Simple               Segundo
                                   Segunda

                                             Validez
   Año       Docente responsable              Jefe de área                     Departamento
2003       Ing. Jorge Galatro          Ing. Carlos A. Gayoso          Ingeniería Electrónica
                                                 CRONOGRAMA

Sem      Fecha             Tema Teórico              Fecha                 Tema de Práctica
 N°

      18/8       Diodos de Juntura                  18/8      Diodos de Juntura
 1    21/8       Diodos de Juntura                  21/8      Diodos de Juntura

      25/8       Diodos de Juntura                  25/8      Diodos de Juntura
 2    28/8       Transistor bipolar de juntura      28/8      Transistor bipolar de juntura

      1/9        Transistor bipolar de juntura      1/9       Transistor bipolar de juntura
 3    4/9        Transistor bipolar de juntura      4/9       Transistor bipolar de juntura

      8/9        Transistor bipolar de juntura      8/9       Transistor bipolar de juntura
 4    11/9       Transistores unipolares            11/9      Transistores unipolares

      15/9       Transistores unipolares            15/9      Transistor bipolar de juntura
 5    18/9       Transistores unipolares-Clase      18/9      Transistores unipolares-Clase repaso
                 repaso
      22/9       Primer parcial                     22/9      Primer parcial
 6    25/9       Modelos de pequeña señal           25/9      Modelos de pequeña señal

      29/9       Modelos de pequeña señal           29/9      Modelos de pequeña señal
 7    2/10       Modelos de pequeña señal           2/10      Modelos de pequeña señal

      6/10       Modelos de pequeña señal           6/10      Modelos de pequeña señal
 8    9/10       Respuesta en frecuencia            9/10      Respuesta en frecuencia

      13/10      Respuesta en frecuencia            13/10     Respuesta en frecuencia
 9    16/10      Respuesta en frecuencia            16/10     Respuesta en frecuencia

      20/10      Clase de repaso                    20/10     Clase de repaso
 10   23/10      Segundo parcial                    23/10     Segundo parcial

      27/10      Circuitos especiales               27/10     Circuitos especiales
 11   30/10      Circuitos especiales               30/10     Circuitos especiales

      3/11       Circuitos especiales               3/11      Circuitos especiales
 12   6/11       Dispositivos Electrónicos de       6/11      Dispositivos Electrónicos de disparo
                 disparo
      10/11      Dispositivos Electrónicos de       10/11     Dispositivos Electrónicos de disparo
 13   13/11      disparo                            13/11     Dispositivos Electrónicos de disparo
                 Dispositivos Electrónicos de
                 disparo
      17/11      Dispositivos Electrónicos de       17/11     Dispositivos Electrónicos de disparo
 14   20/11      disparo                            20/11     Dispositivos Optoelectrónicos
                 Dispositivos Optoelectrónicos

      24/11      Dispositivos Optoelectrónicos-     24/11     Dispositivos Optoelectrónicos- Clase de
 15   27/11      Clase de repaso                    27/11     repaso
                 Tercer parcial                               Tercer parcial

      1/12       Examen integrador                  1/12      Examen integrador
 16

                                                  Validez
   Año           Docente responsable              Jefe de área                    Departamento
2003          Ing. Jorge Galatro           Ing. Carlos A. Gayoso       Ingeniería Electrónica
                         ACTIVIDADES DE TRABAJO EXPERIMENTAL




Ensayo y medición de diferentes circuitos rectificadores

Ensayo y medición de diferentes polarizaciones de transistores bipolares de juntura

Ensayo y medición de un control de potencia usando TRIAC




                              PROCEDIMIENTOS DE SEGURIDAD




                                              Validez
   Año         Docente responsable                Jefe de área               Departamento
2003         Ing. Jorge Galatro            Ing. Carlos A. Gayoso       Ingeniería Electrónica

				
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